Princeton Microwave介電諧振器 頻率3~40GHz
發(fā)布時間:2024-01-05 09:28:33 瀏覽:938
Princeton Microwave介電諧振器振蕩器是由高介電常數(shù)材料制成,電磁場可以被限制并使其諧振。諧振頻率由電介質(zhì)矩形或圓盤的物理尺寸、材料的介電常數(shù)以及不同程度的支撐和容納結(jié)構(gòu)決定。機械調(diào)諧是通過使調(diào)諧螺釘更靠近介電諧振器來實現(xiàn)的,從而將TE模式的諧振頻率修改為增加的值。諧振頻率這種行為的原因在腔體擾動理論中得到了解釋。也就是說,當空腔的金屬壁向內(nèi)移動時,如果存儲的能量主要是電的,則諧振頻率會降低。否則,當靠近金屬壁的存儲能量主要是磁性的時,在屏蔽TE介質(zhì)諧振器的情況下,當壁向內(nèi)移動時,諧振頻率會增加。在電子調(diào)諧的 DRO 中,與微帶線相關的變?nèi)荻O管在介電諧振器頻率周圍產(chǎn)生共振。該諧振電路與介質(zhì)諧振器電磁耦合,形成一對相互耦合的諧振電路。通過隨偏置電壓改變變?nèi)荻O管電容,現(xiàn)在可以調(diào)諧介電諧振器的諧振頻率,耦合到一側(cè)的變?nèi)荻O管微帶線和另一側(cè)的 50 歐姆微帶線。介電諧振振蕩器(DSO)使用介電諧振器作為其頻率決定元件。當介電材料選擇得當時,介電常數(shù)隨溫度的變化趨于抵消,從而提供相對較好的溫度與頻率穩(wěn)定性。
特征:
可根據(jù)客戶指定頻率定制(頻率:3 至 40 GHz)
封裝MESFET或BJT器件
低相位噪聲
低顫音
高振動操作
SMT和/或連接器外殼制造
內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)
選型:
介電諧振器振蕩器 | ||||
系列 | 頻率范圍 | 調(diào)音 | 功率輸出 | |
PmT DRO-4000 | 3 – 12 GHz | Mechanical/Electronic | 13 dBm | |
PmT DRO-5000 | 12 – 18 GHz | Mechanical/Electronic | 13 dBm | |
PmT DRO-6000 | 18 – 40 GHz | Mechanical/Electronic | 13 dBm | |
PmT DRO-7000 | 17 – 24 GHz | Mechanical/Electronic | 13 dBm | |
PmT DRO-SM | 6 – 24 GHz | Mechanical/Electronic | 13 dBm | |
PmT DRO-19 | 19 GHz | Fixed | 20 dBm |
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